STMicroelectronics 2STF1360 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
3A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
60V
Корпус
SOT-89
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.4W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
80
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальная частота перехода (ft)
130MHz
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
10.1 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 592,60
тг 129,63 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 2 592,60
тг 129,63 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
20
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 129,63 | тг 2 592,60 |
| 100 - 180 | тг 89,40 | тг 1 788,00 |
| 200 - 380 | тг 89,40 | тг 1 788,00 |
| 400 - 980 | тг 84,93 | тг 1 698,60 |
| 1000+ | тг 67,05 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
3A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
60V
Корпус
SOT-89
Тип монтажа
Поверхность
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
1.4W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
80
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Минимальная рабочая температура
-65°C
Максимальная частота перехода (ft)
130MHz
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
10.1 mm
Материал каски/сварочной маски
2.4мм
Длина
6.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.