STMicroelectronics 2STD1665T4 Transistor, 6 A NPN, 65 V, 3-Pin DPAK

Код товара RS: 686-7893Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: 2STD1665T4
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

6A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

65V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

150V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

15W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

30

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

7V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

10.1 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 637,30

тг 263,73 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics 2STD1665T4 Transistor, 6 A NPN, 65 V, 3-Pin DPAK
Select packaging type

тг 2 637,30

тг 263,73 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics 2STD1665T4 Transistor, 6 A NPN, 65 V, 3-Pin DPAK

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 263,73тг 2 637,30
50 - 90тг 259,26тг 2 592,60
100 - 240тг 210,09тг 2 100,90
250 - 490тг 205,62тг 2 056,20
500+тг 187,74тг 1 877,40

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

6A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

65V

Корпус

TO-252

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

150V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

15W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

30

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

7V

Минимальная рабочая температура

0°C

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

10.1 mm

Материал каски/сварочной маски

2.4мм

Длина

6.6мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.