STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 30 V, 3-Pin SOT-32

Код товара RS: 686-8045Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: 2SD882
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

30V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

60V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

12.5W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

30

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Максимальная частота перехода (ft)

100MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.9 mm

Материал каски/сварочной маски

27.5мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 430,40

тг 143,04 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 30 V, 3-Pin SOT-32
Select packaging type

тг 1 430,40

тг 143,04 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics Transistor, 3 A NPN, 30 V, 3-Pin SOT-32

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 143,04тг 1 430,40
50 - 90тг 129,63тг 1 296,30
100 - 240тг 116,22тг 1 162,20
250 - 490тг 98,34тг 983,40
500+тг 84,93тг 849,30

Техническая документация

Характеристики

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

3A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

30V

Корпус

SOT-32

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

60V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

12.5W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

30

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Минимальная рабочая температура

0°C

Максимальная частота перехода (ft)

100MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

2.9 mm

Материал каски/сварочной маски

27.5мм

Длина

7.8мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.