Техническая документация
Характеристики
Brand
SemtechТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Изолированный
Максимальное напряжение фиксации
11V
Минимальное пробивное напряжение
6V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности
300W
Максимальный пиковый импульсный ток
5.1A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Высота
1.5мм
Испытательный ток
1mA
Длина
5мм
Ширина
4мм
Максимальный обратный ток утечки
20мкА
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Производственная упаковка (Труба)
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemtechТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Изолированный
Максимальное напряжение фиксации
11V
Минимальное пробивное напряжение
6V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности
300W
Максимальный пиковый импульсный ток
5.1A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Высота
1.5мм
Испытательный ток
1mA
Длина
5мм
Ширина
4мм
Максимальный обратный ток утечки
20мкА
