Semikron SKM400GAL12E4 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
618 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
SEMITRANS3
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
5
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | P.O.A. |
| 2 - 4 | P.O.A. |
| 5 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 19 | P.O.A. |
| 20+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
618 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
SEMITRANS3
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
5
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.