Semikron SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V

Код товара RS: 248-6701Бренд: SemikronПарт-номер производителя: SKM300GB12F4
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Semikron

Максимальный непрерывный ток коллектора

300 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±15.0V

Количество транзисторов

2

Конфигурация

Полумост

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Semikron SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V

12

Доступно в кратности 12
12P.O.A.
24P.O.A.
36P.O.A.
48P.O.A.
60P.O.A.
72P.O.A.
84P.O.A.
96P.O.A.
108P.O.A.
120P.O.A.
132P.O.A.
144P.O.A.
156P.O.A.
168P.O.A.
180P.O.A.

P.O.A.

Semikron SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V
Информация о наличии не успела загрузиться

12

Доступно в кратности 12
12P.O.A.
24P.O.A.
36P.O.A.
48P.O.A.
60P.O.A.
72P.O.A.
84P.O.A.
96P.O.A.
108P.O.A.
120P.O.A.
132P.O.A.
144P.O.A.
156P.O.A.
168P.O.A.
180P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Semikron

Максимальный непрерывный ток коллектора

300 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±15.0V

Количество транзисторов

2

Конфигурация

Полумост