Semikron SKM200GB12E4 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
314 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
SEMITRANS3
Конфигурация
Двойной полумост
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
106.4 x 61.4 x 30мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 70 608,12
Each (ex VAT)
1
тг 70 608,12
Each (ex VAT)
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 70 608,12 |
| 2 - 4 | тг 69 231,36 |
| 5 - 9 | тг 61 605,54 |
| 10 - 19 | тг 56 621,49 |
| 20+ | тг 55 512,93 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
314 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
SEMITRANS3
Конфигурация
Двойной полумост
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
106.4 x 61.4 x 30мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.