Semikron SKM200GB125D Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
200 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
SEMITRANS3
Конфигурация
Двойной полумост
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
61.4мм
Информация о товаре
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 67 273,50
Each (ex VAT)
1
тг 67 273,50
Each (ex VAT)
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 67 273,50 |
| 2 - 4 | тг 63 996,99 |
| 5 - 9 | тг 60 872,46 |
| 10 - 19 | тг 57 864,15 |
| 20+ | тг 55 025,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
200 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
SEMITRANS3
Конфигурация
Двойной полумост
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Серия
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
61.4мм
Информация о товаре
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.