Semikron SKM100GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V

Код товара RS: 248-6693Бренд: SemikronПарт-номер производителя: SKM100GB12F4
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Semikron

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±15.0V

Количество транзисторов

2

Конфигурация

Полумост

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Semikron SKM100GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V

8

Доступно в кратности 8
8P.O.A.
16P.O.A.
24P.O.A.
32P.O.A.
40P.O.A.
48P.O.A.
56P.O.A.
64P.O.A.
72P.O.A.
80P.O.A.
88P.O.A.
96P.O.A.
104P.O.A.
112P.O.A.
120P.O.A.

P.O.A.

Semikron SKM100GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 100 A 1200 V
Информация о наличии не успела загрузиться

8

Доступно в кратности 8
8P.O.A.
16P.O.A.
24P.O.A.
32P.O.A.
40P.O.A.
48P.O.A.
56P.O.A.
64P.O.A.
72P.O.A.
80P.O.A.
88P.O.A.
96P.O.A.
104P.O.A.
112P.O.A.
120P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Semikron

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±15.0V

Количество транзисторов

2

Конфигурация

Полумост