Semikron SEMiX603GB12E4p Модуль транзистора IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
1,1 кА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Тип корпуса
SEMiX®3p
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
11
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
150 x 62.4 x 17мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Информация о товаре
SEMiX® Dual IGBT Modules
Dual IGBT Modules from Semikron in modern low-profile SEMiX® packages suitable for half-bridge power control applications. The modules use solder-free spring or press-fit contacts to allow for a gate driver mounted directly on top of the module, saving space and offering greater connection reliability. Typical applications include AC inverter drives, UPS, Electronic Welding and Renewable Energy Systems.
For suitable press-fit gate driver modules see 122-0385 to 122-0387
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
SemikronМаксимальный непрерывный ток коллектора
1,1 кА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Тип корпуса
SEMiX®3p
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
11
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
150 x 62.4 x 17мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Информация о товаре
SEMiX® Dual IGBT Modules
Dual IGBT Modules from Semikron in modern low-profile SEMiX® packages suitable for half-bridge power control applications. The modules use solder-free spring or press-fit contacts to allow for a gate driver mounted directly on top of the module, saving space and offering greater connection reliability. Typical applications include AC inverter drives, UPS, Electronic Welding and Renewable Energy Systems.
For suitable press-fit gate driver modules see 122-0385 to 122-0387
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.