Semikron SKM400GB12E4 Модуль транзистора IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
Semikron DanfossМаксимальный непрерывный ток коллектора
616 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Количество транзисторов
2
Конфигурация
Двойной
Тип корпуса
SEMITRANS3
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Тип канала
N
Число контактов
7
Скорость переключения
12кГц
Конфигурация транзистора
Полумост
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
Slovakia
Информация о товаре
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
Semikron DanfossМаксимальный непрерывный ток коллектора
616 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
Количество транзисторов
2
Конфигурация
Двойной
Тип корпуса
SEMITRANS3
Тип монтажа
Винтовой монтаж
Тип канала
N
Число контактов
7
Скорость переключения
12кГц
Конфигурация транзистора
Полумост
Размеры
106.4 x 61.4 x 30.5мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Страна происхождения
Slovakia
Информация о товаре
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.