Semikron Danfoss SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V
Техническая документация
Характеристики
Brand
Semikron DanfossМаксимальный непрерывный ток коллектора
300 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±15.0V
Количество транзисторов
2
Конфигурация
Полумост
Вас может заинтересовать
Semikron Danfoss SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 VБренд: Semikron Danfoss
P.O.A.Each (ex VAT)
Semikron Danfoss SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 VБренд: Semikron Danfoss
P.O.A.Each (Supplied in a Box) (ex VAT)
P.O.A.
Each (In a Box of 12) (ex VAT)
Semikron Danfoss SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V
12
P.O.A.
Each (In a Box of 12) (ex VAT)
Semikron Danfoss SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 V
Информация о наличии не успела загрузиться
12
Информация о наличии не успела загрузиться
Вас может заинтересовать
Semikron Danfoss SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 VБренд: Semikron Danfoss
P.O.A.Each (ex VAT)
Semikron Danfoss SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 VБренд: Semikron Danfoss
P.O.A.Each (Supplied in a Box) (ex VAT)
Техническая документация
Характеристики
Brand
Semikron DanfossМаксимальный непрерывный ток коллектора
300 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±15.0V
Количество транзисторов
2
Конфигурация
Полумост
Вас может заинтересовать
Semikron Danfoss SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 VБренд: Semikron Danfoss
P.O.A.Each (ex VAT)
Semikron Danfoss SKM300GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 300 A 1200 VБренд: Semikron Danfoss
P.O.A.Each (Supplied in a Box) (ex VAT)