Semikron SKM150GAR12T4 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
Semikron DanfossМаксимальный непрерывный ток коллектора
232 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
SEMITRANS2
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
5
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Размеры
94 x 34 x 30.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
34мм
Информация о товаре
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 43 023,75
тг 43 023,75 Each (ex VAT)
1
тг 43 023,75
тг 43 023,75 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 43 023,75 |
| 2 - 4 | тг 43 019,28 |
| 5 - 9 | тг 38 294,49 |
| 10 - 19 | тг 34 191,03 |
| 20+ | тг 34 186,56 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Semikron DanfossМаксимальный непрерывный ток коллектора
232 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
SEMITRANS2
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
5
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Размеры
94 x 34 x 30.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
34мм
Информация о товаре
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.