Semikron SKM150GAL12T4 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
Semikron DanfossМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
232A
Тип продукции
Fast IGBT4 Module
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
1200V
Корпус
SEMITRANS2
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
Тип N
Число контактов
5
Скорость переключения
180ns
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.4V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
94мм
Материал каски/сварочной маски
30.1мм
Стандарты/одобрения
IEC 60747-1
Серия
GAL
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 30 324,48
тг 30 324,48 Each (ex VAT)
1
тг 30 324,48
тг 30 324,48 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 30 324,48 |
| 2 - 4 | тг 30 320,01 |
| 5 - 9 | тг 27 016,68 |
| 10 - 19 | тг 24 388,32 |
| 20+ | тг 24 383,85 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Semikron DanfossМаксимальный ток коллектора в непрерывном режиме (Ic)
232A
Тип продукции
Fast IGBT4 Module
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
1200V
Корпус
SEMITRANS2
Тип монтажа
Поверхность
Тип канала
Тип N
Число контактов
5
Скорость переключения
180ns
Максимальное напряжение затвор-эмиттер (VGEO)
20 V
Максимальное напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (Vce(SAT))
2.4V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
94мм
Материал каски/сварочной маски
30.1мм
Стандарты/одобрения
IEC 60747-1
Серия
GAL
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Single IGBT Modules
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.