Semikron SEMiX303GB12E4p Модуль транзистора IGBT

Код товара RS: 122-0391Бренд: Semikron DanfossПарт-номер производителя: SEMiX303GB12E4pDistrelec Article No.: 30122437
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Semikron Danfoss

Максимальный непрерывный ток коллектора

469 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Конфигурация

Серия

Тип корпуса

SEMiX®3p

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

11

Конфигурация транзистора

Серия

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Размеры

150 x 62.4 x 17мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Ширина

62.4мм

Информация о товаре

SEMiX® Dual IGBT Modules

Dual IGBT Modules from Semikron in modern low-profile SEMiX® packages suitable for half-bridge power control applications. The modules use solder-free spring or press-fit contacts to allow for a gate driver mounted directly on top of the module, saving space and offering greater connection reliability. Typical applications include AC inverter drives, UPS, Electronic Welding and Renewable Energy Systems.
For suitable press-fit gate driver modules see 122-0385 to 122-0387

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

P.O.A.

Semikron SEMiX303GB12E4p Модуль транзистора IGBT

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Semikron SEMiX303GB12E4p Модуль транзистора IGBT

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Semikron Danfoss

Максимальный непрерывный ток коллектора

469 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Конфигурация

Серия

Тип корпуса

SEMiX®3p

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

11

Конфигурация транзистора

Серия

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Размеры

150 x 62.4 x 17мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Ширина

62.4мм

Информация о товаре

SEMiX® Dual IGBT Modules

Dual IGBT Modules from Semikron in modern low-profile SEMiX® packages suitable for half-bridge power control applications. The modules use solder-free spring or press-fit contacts to allow for a gate driver mounted directly on top of the module, saving space and offering greater connection reliability. Typical applications include AC inverter drives, UPS, Electronic Welding and Renewable Energy Systems.
For suitable press-fit gate driver modules see 122-0385 to 122-0387

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.