FET N, LCC1

Код товара RS: 738-7607Бренд: SemelabПарт-номер производителя: 2N4392CSM
brand-logo
View all in ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

Semelab

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

25 to 75mA

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Максимальное напряжение затвор-исток

+40 В

Максимальное напряжение сток-затвор

40V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

60 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

3.05 x 2.54 x 1.02мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

3.05мм

Высота

1.02мм

Ширина

2.54мм

Страна происхождения

United Kingdom

Информация о товаре

N-channel JFET, Semikron

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

FET N, LCC1
Select packaging type

P.O.A.

FET N, LCC1
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
1 - 24P.O.A.
25 - 49P.O.A.
50 - 99P.O.A.
100 - 249P.O.A.
250+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Semelab

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

25 to 75mA

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Максимальное напряжение затвор-исток

+40 В

Максимальное напряжение сток-затвор

40V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Максимальное сопротивление сток-исток

60 Ω

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

3.05 x 2.54 x 1.02мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

3.05мм

Высота

1.02мм

Ширина

2.54мм

Страна происхождения

United Kingdom

Информация о товаре

N-channel JFET, Semikron

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.