Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
-150mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
-50V
Корпус
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
60V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150mW
Полярность транзистора
PnP
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Максимальная частота перехода (ft)
140MHz
Число контактов
6
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
1.6мм
Материал каски/сварочной маски
0.5мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
Dual Bipolar Transistors, ROHM
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип продукции
Транзистор
Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)
-150mA
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
-50V
Корпус
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
60V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150mW
Полярность транзистора
PnP
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Максимальная частота перехода (ft)
140MHz
Число контактов
6
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
1.6мм
Материал каски/сварочной маски
0.5мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Страна происхождения
Taiwan, Province Of China
Информация о товаре
