Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMSpectrums Detected
Infrared
Обнаруженные спектры
Инфракрасный
Типичное время затухания
10мкс
Типичное время нарастания
10мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
2000мкА
Максимальный темновой ток
0.5мкА
Угол половинной чувствительности
±36 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
T-1
Размеры
3.8 (Dia.) x 5.2мм
Ток коллектора
30mA
Диаметр
3.8мм
Минимальная определяемая длина волны
800нм
Спектральный диапазон чувствительности
800 нм
Серия
RPT
Напряжение эмиттер-коллектор
5V
Напряжение коллектор-эмиттер
32 V
Высота
5.2мм
Напряжение насыщения
0.4V
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
RPT-34PB3F, Phototransistor
IR Phototransistors, ROHM Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMSpectrums Detected
Infrared
Обнаруженные спектры
Инфракрасный
Типичное время затухания
10мкс
Типичное время нарастания
10мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
2000мкА
Максимальный темновой ток
0.5мкА
Угол половинной чувствительности
±36 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
T-1
Размеры
3.8 (Dia.) x 5.2мм
Ток коллектора
30mA
Диаметр
3.8мм
Минимальная определяемая длина волны
800нм
Спектральный диапазон чувствительности
800 нм
Серия
RPT
Напряжение эмиттер-коллектор
5V
Напряжение коллектор-эмиттер
32 V
Высота
5.2мм
Напряжение насыщения
0.4V
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре