ROHM RGT30NS65DGC9, P-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole

Brand

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

30V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

133 Вт

Тип корпуса

TO-262

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

3+Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.1 x 4.5 x 9мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Емкость затвора

780пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Страна происхождения

Japan