ROHM RGT16NS65DGC9, P-Channel IGBT, 16 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole

Код товара RS: 171-5506Бренд: ROHMПарт-номер производителя: RGT16NS65DGC9
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Максимальный непрерывный ток коллектора

16 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

30V

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-262

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

3+Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.1 x 4.5 x 9мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Емкость затвора

450пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ROHM RGT16NS65DGC9, P-Channel IGBT, 16 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole

P.O.A.

ROHM RGT16NS65DGC9, P-Channel IGBT, 16 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Максимальный непрерывный ток коллектора

16 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

30V

Максимальное рассеяние мощности

94 Вт

Количество транзисторов

1

Тип корпуса

TO-262

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

3+Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.1 x 4.5 x 9мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Емкость затвора

450пФ

Максимальная рабочая температура

+175 °C