ROHM BA12003BF-E2 Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Конфигурация
Расстановка 7
Количество элементов на ИС
7
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Ширина
4.4мм
Высота
1.5мм
Максимальное рассеяние мощности
620 мВт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
10 x 4.4 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
10мм
Ток базы
1.35mA
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, ROHM Semiconductor
This array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current (500 mA).
Darlington Transistor Drivers
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Конфигурация
Расстановка 7
Количество элементов на ИС
7
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Ширина
4.4мм
Высота
1.5мм
Максимальное рассеяние мощности
620 мВт
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
10 x 4.4 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
10мм
Ток базы
1.35mA
Информация о товаре
Darlington Transistor Arrays, ROHM Semiconductor
This array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current (500 mA).