ROHM BA12003B Пара Дарлингтона

Код товара RS: 128-8847Бренд: ROHMПарт-номер производителя: BA12003B
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Тип транзистора

NPN

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

DIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

16

Конфигурация транзистора

Общий эмиттер

Конфигурация

Расстановка 7

Количество элементов на ИС

7

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,6 В

Высота

3.74мм

Ширина

6.5мм

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Размеры

19.4 x 6.5 x 3.74мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

19.4мм

Ток базы

1.35mA

Информация о товаре

Darlinton Transistor Arrays, ROHM

Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ROHM BA12003B Пара Дарлингтона

P.O.A.

ROHM BA12003B Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Тип транзистора

NPN

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

DIP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

16

Конфигурация транзистора

Общий эмиттер

Конфигурация

Расстановка 7

Количество элементов на ИС

7

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,6 В

Высота

3.74мм

Ширина

6.5мм

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Размеры

19.4 x 6.5 x 3.74мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

19.4мм

Ток базы

1.35mA

Информация о товаре

Darlinton Transistor Arrays, ROHM

Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor