ROHM 2SC5661T2L Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
SOT-723
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
82
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
3 В
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.2 x 0.8 x 0.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, ROHM
Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
ROHMТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
SOT-723
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
82
Конфигурация транзистора
Общий эмиттер
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
3 В
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.2 x 0.8 x 0.5мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, ROHM
Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.