ROHM 2SC3837KT146N/P NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 20 V, 3-Pin SOT-346

Код товара RS: 320-8128Бренд: ROHMПарт-номер производителя: 2SC3837KT146N/P
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 В

Тип корпуса

SOT-346 (SC-59)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

3 В

Максимальная рабочая частота

1500 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

2.9 x 1.6 x 1.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, ROHM

Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.

Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ROHM 2SC3837KT146N/P NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 20 V, 3-Pin SOT-346

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

P.O.A.

ROHM 2SC3837KT146N/P NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 20 V, 3-Pin SOT-346
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

ROHM

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 В

Тип корпуса

SOT-346 (SC-59)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

3 В

Максимальная рабочая частота

1500 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

2.9 x 1.6 x 1.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, ROHM

Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.

Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor