Renesas Electronics RJP4010AGE-01#P5 IGBT

Код товара RS: 121-6899Бренд: Renesas ElectronicsПарт-номер производителя: RJP4010AGE-01#P5
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Renesas Electronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

150 А (импульс)

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±6V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Тип корпуса

TSOJ

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

8

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

3.1 x 2.5 x 1мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Емкость затвора

5100пФ

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Renesas Electronics RJP4010AGE-01#P5 IGBT

4

Доступно в кратности 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

P.O.A.

Renesas Electronics RJP4010AGE-01#P5 IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться

4

Доступно в кратности 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Renesas Electronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

150 А (импульс)

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±6V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Тип корпуса

TSOJ

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

8

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

3.1 x 2.5 x 1мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Емкость затвора

5100пФ

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.