Renesas Electronics RJH60D3DPP-M0#T2 IGBT

Код товара RS: 124-3700Бренд: Renesas ElectronicsПарт-номер производителя: RJH60D3DPP-M0#T2
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Renesas Electronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

35 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Тип корпуса

TO-220FL

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10 x 4.5 x 15мм

Емкость затвора

900пФ

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Renesas Electronics RJH60D3DPP-M0#T2 IGBT

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Renesas Electronics RJH60D3DPP-M0#T2 IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться

2

Доступно в кратности 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Renesas Electronics

Максимальный непрерывный ток коллектора

35 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Тип корпуса

TO-220FL

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10 x 4.5 x 15мм

Емкость затвора

900пФ

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.