Renesas Electronics R1EV5801MBTDRDI#B0 Параллельная память EEPROM
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
1Мбит
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
32
Организация
128 x 8-разрядный
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Программирующее напряжение
2.7 → 5.5V
Количество бит на слово
8бит
Размеры
12.4 x 8.2 x 1.02мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
Electrically Erasable PROM Parallel Access, Renesas
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsОбъем памяти
1Мбит
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
32
Организация
128 x 8-разрядный
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Программирующее напряжение
2.7 → 5.5V
Количество бит на слово
8бит
Размеры
12.4 x 8.2 x 1.02мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре