Renesas Electronics R1EV5801MBSDRDI#B0 Память EEPROM

Код товара RS: 901-5714Бренд: Renesas ElectronicsПарт-номер производителя: R1EV5801MBSDRDI#B0
brand-logo
Просмотреть все в EEPROM

Техническая документация

Характеристики

Объем памяти

1Мбит

Тип интерфейса

Параллельный

Тип корпуса

SOP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

32

Организация

128 x 8-разрядный

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Количество бит на слово

8бит

Размеры

20.95 x 11.3 x 2.73мм

Количество слов

128K

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Сохранение данных

Minimum of 10г.

Максимальное время произвольного доступа

150 ns, 250 ns

Страна происхождения

Vietnam

Информация о товаре

Electrically Erasable PROM Serial Access, Renesas

EEPROM Serial Access - Renesas Electronics

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Renesas Electronics R1EV5801MBSDRDI#B0 Память EEPROM

P.O.A.

Renesas Electronics R1EV5801MBSDRDI#B0 Память EEPROM

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Объем памяти

1Мбит

Тип интерфейса

Параллельный

Тип корпуса

SOP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

32

Организация

128 x 8-разрядный

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Количество бит на слово

8бит

Размеры

20.95 x 11.3 x 2.73мм

Количество слов

128K

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Сохранение данных

Minimum of 10г.

Максимальное время произвольного доступа

150 ns, 250 ns

Страна происхождения

Vietnam

Информация о товаре

Electrically Erasable PROM Serial Access, Renesas

EEPROM Serial Access - Renesas Electronics