Renesas Electronics HFA3101BZ Hex NPN Transistor, 30 mA, 8 V, 8-Pin SOIC

Код товара RS: 921-5683PБренд: Renesas ElectronicsПарт-номер производителя: HFA3101BZ
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Renesas Electronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

30 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

8 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Конфигурация транзистора

Комплекс

Максимальное напряжение коллектор-база

12 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5,5 В

Максимальная рабочая частота

10000 МГц

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

6

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Размеры

1.5 x 5 x 4мм

Информация о товаре

Gilbert Cell UHF Transistor Arrays, Intersil

Bipolar Transistors, Intersil

Вас может заинтересовать
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Renesas Electronics HFA3101BZ Hex NPN Transistor, 30 mA, 8 V, 8-Pin SOIC
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Renesas Electronics HFA3101BZ Hex NPN Transistor, 30 mA, 8 V, 8-Pin SOIC

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Renesas Electronics

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

30 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

8 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Конфигурация транзистора

Комплекс

Максимальное напряжение коллектор-база

12 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5,5 В

Максимальная рабочая частота

10000 МГц

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

6

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Размеры

1.5 x 5 x 4мм

Информация о товаре

Gilbert Cell UHF Transistor Arrays, Intersil

Bipolar Transistors, Intersil

Вас может заинтересовать