Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
30 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
8 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Конфигурация транзистора
Комплекс
Максимальное напряжение коллектор-база
12 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5,5 В
Максимальная рабочая частота
10000 МГц
Число контактов
8
Количество элементов на ИС
6
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Размеры
1.5 x 5 x 4мм
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 2 601,54
тг 2 601,54 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 2 601,54
тг 2 601,54 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 2 601,54 |
| 10 - 99 | тг 2 592,60 |
| 100 - 249 | тг 2 047,26 |
| 250 - 499 | тг 2 011,50 |
| 500+ | тг 1 971,27 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
30 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
8 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Конфигурация транзистора
Комплекс
Максимальное напряжение коллектор-база
12 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5,5 В
Максимальная рабочая частота
10000 МГц
Число контактов
8
Количество элементов на ИС
6
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Размеры
1.5 x 5 x 4мм
