Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
65 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
8 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
12 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5,5 В
Максимальная рабочая частота
8000 МГц
Число контактов
16
Количество элементов на ИС
5
Размеры
1.5 x 10 x 4мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Transistor Arrays, Intersil
Bipolar Transistors, Intersil
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
48
P.O.A.
48
Техническая документация
Характеристики
Brand
Renesas ElectronicsТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
65 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
8 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
12 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5,5 В
Максимальная рабочая частота
8000 МГц
Число контактов
16
Количество элементов на ИС
5
Размеры
1.5 x 10 x 4мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре