Panasonic DSK9J01P0L JFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
PanasonicТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
1 → 3mA
Максимальное напряжение сток-затвор
-55V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SSMini3 F3 B
Число контактов
3
Размеры
1.6 x 0.85 x 0.7мм
Высота
0.7мм
Ширина
0.85мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, Panasonic
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
PanasonicТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
1 → 3mA
Максимальное напряжение сток-затвор
-55V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SSMini3 F3 B
Число контактов
3
Размеры
1.6 x 0.85 x 0.7мм
Высота
0.7мм
Ширина
0.85мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.6мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, Panasonic
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.