OSRAM Opto Semiconductors SFH 325-4-Z Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared, Visible Light
Типичное время затухания
7мкс
Типичное время нарастания
7мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
80мкА
Максимальный темновой ток
50нА
Угол половинной чувствительности
120 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
PLCC
Размеры
4.2 x 4.2 x 3.8мм
Ток коллектора
15mA
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Максимальная определяемая длина волны
1120нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1120 нм
Длина
4.2мм
Ширина
4.2мм
Высота
3.8мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Phototransistor SIDELED® Package
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared, Visible Light
Типичное время затухания
7мкс
Типичное время нарастания
7мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
80мкА
Максимальный темновой ток
50нА
Угол половинной чувствительности
120 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
PLCC
Размеры
4.2 x 4.2 x 3.8мм
Ток коллектора
15mA
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Максимальная определяемая длина волны
1120нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1120 нм
Длина
4.2мм
Ширина
4.2мм
Высота
3.8мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре