Phototransistor,+/-18deg,BPX 81-4
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared, Visible Light
Типичное время затухания
6мкс
Типичное время нарастания
6мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
2900мкА
Максимальный темновой ток
50нА
Угол половинной чувствительности
36 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
DIP
Размеры
2.4 x 2.4 x 3.6мм
Ток коллектора
50mA
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1100 нм
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Длина
2.4мм
Ширина
2.4мм
Высота
3.6мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 5 | P.O.A. |
| 10 - 20 | P.O.A. |
| 25 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 120 | P.O.A. |
| 125+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared, Visible Light
Типичное время затухания
6мкс
Типичное время нарастания
6мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
2900мкА
Максимальный темновой ток
50нА
Угол половинной чувствительности
36 °
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
DIP
Размеры
2.4 x 2.4 x 3.6мм
Ток коллектора
50mA
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1100 нм
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Длина
2.4мм
Ширина
2.4мм
Высота
3.6мм