OSRAM Opto Semiconductors BPX 81-3/4 Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Типичное время затухания
6мкс
Типичное время нарастания
6мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
>400мкА
Максимальный темновой ток
1 (≤ 50)нА
Угол половинной чувствительности
±18°
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
Миниатюрная матрица
Размеры
2.2 x 2 x 3.45мм
Ток коллектора
50mA
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1100 нм
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Ширина
2мм
Линейность
Высокий
Высота
3.45мм
Напряжение насыщения
150мВ
Серия
BPX 81
Напряжение эмиттер-коллектор
7V
Напряжение коллектор-эмиттер
35V
Длина
2.2мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Phototransistor Miniature Package
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Типичное время затухания
6мкс
Типичное время нарастания
6мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
>400мкА
Максимальный темновой ток
1 (≤ 50)нА
Угол половинной чувствительности
±18°
Полярность
NPN
Количество контактов
2
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
Миниатюрная матрица
Размеры
2.2 x 2 x 3.45мм
Ток коллектора
50mA
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1100 нм
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Ширина
2мм
Линейность
Высокий
Высота
3.45мм
Напряжение насыщения
150мВ
Серия
BPX 81
Напряжение эмиттер-коллектор
7V
Напряжение коллектор-эмиттер
35V
Длина
2.2мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре