Техническая документация
Характеристики
Длина волны пиковой чувствительности
850нм
Тип элемента
Фототранзистор
Количество элементов
10
Количество контактов
6
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Размеры
7.4 x 2.1 x 3.6мм
Тип корпуса
DIP
Высота
3.6мм
Длина
7.4мм
Минимальная определяемая длина волны
850нм
Ширина
2.1мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
OSRAM Opto Semiconductors BPX 80 Фототранзистор, 7.4 x 2.1 x 3.6мм
1
P.O.A.
OSRAM Opto Semiconductors BPX 80 Фототранзистор, 7.4 x 2.1 x 3.6мм
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | P.O.A. |
10 - 49 | P.O.A. |
50 - 99 | P.O.A. |
100 - 249 | P.O.A. |
250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Длина волны пиковой чувствительности
850нм
Тип элемента
Фототранзистор
Количество элементов
10
Количество контактов
6
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Размеры
7.4 x 2.1 x 3.6мм
Тип корпуса
DIP
Высота
3.6мм
Длина
7.4мм
Минимальная определяемая длина волны
850нм
Ширина
2.1мм