OSRAM Opto Semiconductors BPX 38-4 Фототранзистор
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
15мкс
Типичное время нарастания
15мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
2300мкА
Максимальный темновой ток
20 (≤ 100)нА
Угол половинной чувствительности
±40 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-18
Размеры
4.8 (Dia.) x 5.5мм
Ток коллектора
50mA
Диаметр
4.8мм
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Максимальная определяемая длина волны
1120нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1120 нм
Высота
5.5мм
Напряжение насыщения
200мВ
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Phototransistor TO18 Package
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared
Типичное время затухания
15мкс
Типичное время нарастания
15мкс
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
2300мкА
Максимальный темновой ток
20 (≤ 100)нА
Угол половинной чувствительности
±40 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип корпуса
TO-18
Размеры
4.8 (Dia.) x 5.5мм
Ток коллектора
50mA
Диаметр
4.8мм
Минимальная определяемая длина волны
450нм
Максимальная определяемая длина волны
1120нм
Спектральный диапазон чувствительности
450 → 1120 нм
Высота
5.5мм
Напряжение насыщения
200мВ
Страна происхождения
China
Информация о товаре