Silicon PIN photodiode,SMT,BPW34S
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared, Visible Light
Длина волны пиковой чувствительности
850нм
Тип корпуса
DIP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Количество контактов
2
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
400нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Длина
4.5мм
Ширина
4мм
Высота
1.2мм
Пиковая светочувствительность
0.62Фактический вес
Угол половинной чувствительности
60°
Полярность
Назад
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared, Visible Light
Длина волны пиковой чувствительности
850нм
Тип корпуса
DIP
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Количество контактов
2
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
400нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Длина
4.5мм
Ширина
4мм
Высота
1.2мм
Пиковая светочувствительность
0.62Фактический вес
Угол половинной чувствительности
60°
Полярность
Назад