Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
850нм
Тип корпуса
Smart DIL
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Функция усилителя
Нет
Количество контактов
2
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
400нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Типичное время затухания
0.02мкс
Длина
4.5мм
Ширина
3.7мм
Высота
1.2мм
Ток короткого замыкания
80 μA
Полярность
Позитивный
Типичное время нарастания
0.02мкс
Информация о товаре
PIN Photodiode DIL Package
This family of IR photodiodes, from OSRAM Opto Semiconductors, are from the BPW 34 series. They come in surface mount (SMD) or through-hole DIL plastic packages with a radiant sensitive area of 2.65 x 2.65 mm². They BPW 34 IR photodiodes are designed for applications with wavelength range of up to 1100 nm. Other suitable applications include; photointerrupters, IR remote control and automotive sensors, headsets etc.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
Техническая документация
Характеристики
Spectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
850нм
Тип корпуса
Smart DIL
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Функция усилителя
Нет
Количество контактов
2
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
400нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Типичное время затухания
0.02мкс
Длина
4.5мм
Ширина
3.7мм
Высота
1.2мм
Ток короткого замыкания
80 μA
Полярность
Позитивный
Типичное время нарастания
0.02мкс
Информация о товаре
PIN Photodiode DIL Package
This family of IR photodiodes, from OSRAM Opto Semiconductors, are from the BPW 34 series. They come in surface mount (SMD) or through-hole DIL plastic packages with a radiant sensitive area of 2.65 x 2.65 mm². They BPW 34 IR photodiodes are designed for applications with wavelength range of up to 1100 nm. Other suitable applications include; photointerrupters, IR remote control and automotive sensors, headsets etc.