Osram Opto, BPW 34 FA IR Si Photodiode, Through Hole DIP

Код товара RS: 654-7921PБренд: OSRAM Opto SemiconductorsПарт-номер производителя: BPW 34 FA
brand-logo
View all in Фотодиоды

Техническая документация

Характеристики

Brand

OSRAM Opto Semiconductors

Spectrums Detected

Infrared

Длина волны пиковой чувствительности

880нм

Тип корпуса

DIP

Функция усилителя

Нет

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество контактов

2

Материал диода

Кремний

Минимальная определяемая длина волны

730нм

Максимальная определяемая длина волны

1100нм

Длина

4.5мм

Ширина

4мм

Высота

2.2мм

Пиковая светочувствительность

0.65Фактический вес

Полярность

Назад

Страна происхождения

China

Информация о товаре

PIN Photodiode DIL Package

This family of IR photodiodes, from OSRAM Opto Semiconductors, are from the BPW 34 series. They come in surface mount (SMD) or through-hole DIL plastic packages with a radiant sensitive area of 2.65 x 2.65 mm². They BPW 34 IR photodiodes are designed for applications with wavelength range of up to 1100 nm. Other suitable applications include; photointerrupters, IR remote control and automotive sensors, headsets etc.

IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Osram Opto, BPW 34 FA IR Si Photodiode, Through Hole DIP
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Osram Opto, BPW 34 FA IR Si Photodiode, Through Hole DIP
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

OSRAM Opto Semiconductors

Spectrums Detected

Infrared

Длина волны пиковой чувствительности

880нм

Тип корпуса

DIP

Функция усилителя

Нет

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество контактов

2

Материал диода

Кремний

Минимальная определяемая длина волны

730нм

Максимальная определяемая длина волны

1100нм

Длина

4.5мм

Ширина

4мм

Высота

2.2мм

Пиковая светочувствительность

0.65Фактический вес

Полярность

Назад

Страна происхождения

China

Информация о товаре

PIN Photodiode DIL Package

This family of IR photodiodes, from OSRAM Opto Semiconductors, are from the BPW 34 series. They come in surface mount (SMD) or through-hole DIL plastic packages with a radiant sensitive area of 2.65 x 2.65 mm². They BPW 34 IR photodiodes are designed for applications with wavelength range of up to 1100 nm. Other suitable applications include; photointerrupters, IR remote control and automotive sensors, headsets etc.

IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors