Техническая документация
Характеристики
Brand
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
970нм
Тип корпуса
TO-18
Функция усилителя
Нет
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество контактов
3
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Высота
0.2дюйм
Диаметр
5.33мм
Серия
Photoconductive
Типичное время нарастания
10нс
Страна происхождения
Malaysia
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
970нм
Тип корпуса
TO-18
Функция усилителя
Нет
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество контактов
3
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Высота
0.2дюйм
Диаметр
5.33мм
Серия
Photoconductive
Типичное время нарастания
10нс
Страна происхождения
Malaysia