OSI Optoelectronics, PIN-3CDI IR Si Photodiode, Through Hole TO-18
Техническая документация
Характеристики
Brand
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
970нм
Тип корпуса
TO-18
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Функция усилителя
Нет
Количество контактов
3
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Длина
4.64mm
Высота
3.81мм
Пиковая светочувствительность
0.65Фактический вес
Серия
D
Типичное время нарастания
10нс
Страна происхождения
United States
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
970нм
Тип корпуса
TO-18
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Функция усилителя
Нет
Количество контактов
3
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Длина
4.64mm
Высота
3.81мм
Пиковая светочувствительность
0.65Фактический вес
Серия
D
Типичное время нарастания
10нс
Страна происхождения
United States