OSI Optoelectronics PIN-10DP Фотодиод
Техническая документация
Характеристики
Brand
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
970нм
Тип корпуса
BNC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Функция усилителя
Нет
Количество контактов
1
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Высота
1.03дюйм
Диаметр
24.64мм
Пиковая светочувствительность
0.6Фактический вес
Серия
PIN
Полярность
Назад
Типичное время нарастания
1000нс
Страна происхождения
United States
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
970нм
Тип корпуса
BNC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Функция усилителя
Нет
Количество контактов
1
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Высота
1.03дюйм
Диаметр
24.64мм
Пиковая светочувствительность
0.6Фактический вес
Серия
PIN
Полярность
Назад
Типичное время нарастания
1000нс
Страна происхождения
United States