OSI Optoelectronics OSD1-0 Фотодиод
Техническая документация
Характеристики
Brand
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
900нм
Тип корпуса
TO-18
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Функция усилителя
Нет
Количество контактов
2
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Высота
0.2дюйм
Диаметр
5.33мм
Пиковая светочувствительность
0.54Фактический вес
Серия
OSD
Полярность
Назад
Типичное время нарастания
10нс
Страна происхождения
United States
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
OSI OptoelectronicsSpectrums Detected
Infrared
Длина волны пиковой чувствительности
900нм
Тип корпуса
TO-18
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Функция усилителя
Нет
Количество контактов
2
Материал диода
Кремний
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
1100нм
Высота
0.2дюйм
Диаметр
5.33мм
Пиковая светочувствительность
0.54Фактический вес
Серия
OSD
Полярность
Назад
Типичное время нарастания
10нс
Страна происхождения
United States