OSI Optoelectronics FCI-InGaAs-Q1000 Фотодиод

Код товара RS: 176-9784Бренд: OSI OptoelectronicsПарт-номер производителя: FCI-InGaAs-Q1000
brand-logo
View all in Фотодиоды

Техническая документация

Характеристики

Длина волны пиковой чувствительности

1700нм

Тип корпуса

TO-5

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Функция усилителя

Нет

Количество контактов

5

Материал диода

Арсенид галлия-индия

Минимальная определяемая длина волны

900нм

Максимальная определяемая длина волны

1700нм

Типичное время затухания

3нс

Длина

1.49mm

Ширина

1.25мм

Высота

4.16мм

Диаметр

9.14мм

Пиковая светочувствительность

0.95Фактический вес

Серия

FCI-InGaAS

Типичное время нарастания

3нс

Страна происхождения

United States

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

OSI Optoelectronics FCI-InGaAs-Q1000 Фотодиод

P.O.A.

OSI Optoelectronics FCI-InGaAs-Q1000 Фотодиод
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Длина волны пиковой чувствительности

1700нм

Тип корпуса

TO-5

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Функция усилителя

Нет

Количество контактов

5

Материал диода

Арсенид галлия-индия

Минимальная определяемая длина волны

900нм

Максимальная определяемая длина волны

1700нм

Типичное время затухания

3нс

Длина

1.49mm

Ширина

1.25мм

Высота

4.16мм

Диаметр

9.14мм

Пиковая светочувствительность

0.95Фактический вес

Серия

FCI-InGaAS

Типичное время нарастания

3нс

Страна происхождения

United States