Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.1 V dc
Максимальный запирающий ток коллектора
50мкА
Высота
1.5мм
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
10мм
Ток базы
25mA
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
16
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.1 V dc
Максимальный запирающий ток коллектора
50мкА
Высота
1.5мм
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Размеры
10 x 4 x 1.5мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
10мм
Ток базы
25mA
Страна происхождения
China