onsemi ULN2003ADR2G NPN Darlington Transistor, 500 mA 50 V HFE:1000, 16-Pin SOIC

Brand

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

16

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.1 V dc

Максимальный запирающий ток коллектора

50мкА

Высота

1.5мм

Ширина

4мм

Минимальная рабочая температура

-20 °C

Размеры

10 x 4 x 1.5мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

10мм

Ток базы

25mA