onsemi TIP36CG PNP Transistor, 25 (Continuous) A, 40 (Peak) A 100 V dc HFE:15, 3-Pin SOT-93
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
25 (Continuous) A, 40 (Peak) A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 V dc
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Тип корпуса
SOT-93
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4 V dc
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Высота
20.35мм
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
15.2 x 4.9 x 20.35мм
Ширина
4.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.2мм
Ток базы
5A
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
25 (Continuous) A, 40 (Peak) A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 V dc
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Тип корпуса
SOT-93
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4 V dc
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Высота
20.35мм
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
15.2 x 4.9 x 20.35мм
Ширина
4.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
15.2мм
Ток базы
5A
Страна происхождения
China