Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
SOT-93
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
15.2 x 4.9 x 20.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ток базы
5A
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
SOT-93
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В пост. тока
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
15.2 x 4.9 x 20.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ток базы
5A
Страна происхождения
China