onsemi TIP126TU Dual PNP Darlington Transistor, -5 A 80 V HFE:1000, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 808-0512Бренд: onsemiПарт-номер производителя: TIP126TU
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-5 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение коллектор-база

-80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-2 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-1mA

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Высота

16.51мм

Ширина

4.83мм

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Информация о товаре

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi TIP126TU Dual PNP Darlington Transistor, -5 A 80 V HFE:1000, 3-Pin TO-220
Select packaging type

P.O.A.

onsemi TIP126TU Dual PNP Darlington Transistor, -5 A 80 V HFE:1000, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
25 - 100P.O.A.
125 - 225P.O.A.
250 - 1225P.O.A.
1250 - 2475P.O.A.
2500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-5 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение коллектор-база

-80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-2 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-1mA

Максимальное рассеяние мощности

65 Вт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.67мм

Высота

16.51мм

Ширина

4.83мм

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Информация о товаре

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.